| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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8年
留言
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ASITO-59 |
8510 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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15年
留言
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ACRIAN |
255 |
24+ |
现货供应 |
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15年
留言
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ACRIAN |
255 |
26+ |
现货供应 |
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11年
留言
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ACRIANTO-59r |
1200 |
25+ |
全新原装现货 价格优势 |
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12年
留言
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Microsemi Corporation55HX |
9350 |
26+ |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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12年
留言
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ACRIANTO-59r |
1200 |
25+ |
全新原装现货,价格优势 |
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7年
留言
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ASITO-59.高频管 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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8年
留言
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ASITO-59 |
8510 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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15年
留言
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ASI |
255 |
24+ |
现货供应 |
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MICROSEMI/美高森美 |
11200 |
23+ |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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15年
留言
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ASI |
255 |
26+ |
现货供应 |
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8年
留言
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ACRIANTO-59 |
8510 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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S200-50中文资料Alldatasheet PDF
更多S200-50制造商:Microsemi Corporation 功能描述:S200-50 - Bulk 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:RF POWER TRANSISTOR BIPOLAR/HBT
产品属性
- 产品编号:
S200-50
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
110V
- 频率 - 跃迁:
1.5MHz ~ 30MHz
- 增益:
12dB ~ 14.5dB
- 功率 - 最大值:
320W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
10 @ 1A,5V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
30A
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
55HX
- 供应商器件封装:
55HX
- 描述:
RF TRANS NPN 110V 30MHZ 55HX














