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UPA1716G	文件：288.21 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·Lowon-resistance RDS(on)1=12.5mWTYP.(VGS=–10V,ID=–4A) RDS(on)2=17.0mWTYP.(VGS=–4.5V,ID=–4A) RDS(on)3=19.0mWTYP.(VGS=–4.0V,ID=–4A) ·LowCiss:Ciss=2100pFTYP. ·Built-inG-Sprotectiond	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1716G	文件：66.67 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandpowermanagementapplicationsofnotebookcomputers. FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=12.5mΩTYP.(VGS=–10V,ID=–4A) RDS(on)2=17.0mΩTYP.(VGS=–4.5V,ID=–4A) RD	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·Lowon-resistance RDS(on)1=12.5mWTYP.(VGS=–10V,ID=–4A) RDS(on)2=17.0mWTYP.(VGS=–4.5V,ID=–4A) RDS(on)3=19.0mWTYP.(VGS=–4.0V,ID=–4A) ·LowCiss:Ciss=2100pFTYP. ·Built-inG-Sprotectiond

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瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

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SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE

DESCRIPTION ThisproductisP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandpowermanagementapplicationsofnotebookcomputers. FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=12.5mΩTYP.(VGS=–10V,ID=–4A) RDS(on)2=17.0mΩTYP.(VGS=–4.5V,ID=–4A) RD

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更多S1716-P供应商更新时间2025-5-17 9:30:00

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