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S1716-P	文件：392.5 Kbytes Page：9 Pages	DESOLDERING BRAID	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
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TEA1716T	文件：828.729 Kbytes Page：47 Pages	TEA1716T	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司 PDF上传者：深圳市明烽威电子有限公司	nxp
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TEA1716T	文件：692.88 Kbytes Page：47 Pages	ResonantpowersupplycontrolICwithPFC	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
TVA1716	文件：73.25 Kbytes Page：5 Pages	AluminumCapacitors85C,Miniature,AxialLead FEATURES •Lowleakagecurrent •Longshelflife •IdealforapplicationinTVsets,autoradios,radio-phonecombinations,electronictestingequipment •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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UDZSTE-1716B	文件：159.63 Kbytes Page：5 Pages	Constantvoltagecontrol	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
UPA1716	文件：66.67 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGP-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisP-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforDC/DCconvertersandpowermanagementapplicationsofnotebookcomputers. FEATURES •Lowon-resistance RDS(on)1=12.5mΩTYP.(VGS=–10V,ID=–4A) RDS(on)2=17.0mΩTYP.(VGS=–4.5V,ID=–4A) RD	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA1716	文件：288.21 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·Lowon-resistance RDS(on)1=12.5mWTYP.(VGS=–10V,ID=–4A) RDS(on)2=17.0mWTYP.(VGS=–4.5V,ID=–4A) RDS(on)3=19.0mWTYP.(VGS=–4.0V,ID=–4A) ·LowCiss:Ciss=2100pFTYP. ·Built-inG-Sprotectiond	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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