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S12MD3	文件：77.67 Kbytes Page：5 Pages	Photothyristor Coupler ■Features 1.HighRMSON-statecurrent(IT:MAX.200mArms) 2.HighrepetitivepeakOFF-statevoltage(VDRM:MIN.400V) 3.TriggercurrentIFT:MAX.15mAatRG=20kΩ 4.Forhalf-wavecontrol•••S12MD1V Forfull-wavecontrol•••S12MD3 ❈S12MD1VandS12MD3are	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
S12ME1	文件：66.08 Kbytes Page：5 Pages	European Safety Standard Approved, Long Creepage Distance Type Photothyristor Coupler ■Features 1.Internalinsulationdistance:0.4mmormore 2.Creepagedistance:8mmormoreSpacedistance:5mmormore(S12ME1)8mmormore(S12ME1F) 3.RecognizedbyULfileNo.E64380ApprovedbyBSI(BS415:NO.7088,BS7002:NO.7410) ■Applications 1.ON-OFFoperationforlowpowerlo	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
S12ME1F	文件：66.08 Kbytes Page：5 Pages	European Safety Standard Approved, Long Creepage Distance Type Photothyristor Coupler ■Features 1.Internalinsulationdistance:0.4mmormore 2.Creepagedistance:8mmormoreSpacedistance:5mmormore(S12ME1)8mmormore(S12ME1F) 3.RecognizedbyULfileNo.E64380ApprovedbyBSI(BS415:NO.7088,BS7002:NO.7410) ■Applications 1.ON-OFFoperationforlowpowerlo	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
S12MEBIV3	文件：2.08375 Mbytes Page：138 Pages	MC9S12DT128 Device User Guide V02.09 Overview TheMC9S12DT128microcontrollerunit(MCU)isa16-bitdevicecomposedofstandardon-chipperipheralsincludinga16-bitcentralprocessingunit(HCS12CPU),128Kbyt)esofFlashEEPROM,8KbytesofRAM,2KbytesofEEPROM,twoasynchronousserialcommunicationsinterfaces(SCI),twose	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
S12MEBIV3	文件：83.63 Kbytes Page：2 Pages	Automotive applications Overview FreescaleSemiconductor’sHCS12Familyofmicrocontrollers(MCUs)isthenextgenerationofthehighlysuccessful68HC12architecture.UsingFreescale’sindustry-leading0.25µsFlash,theMC9S12DG256ispartofapin-compatiblefamilythatscalesfrom32KBto512KBofFlashmemory.	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
S12MEBIV3D	文件：2.08375 Mbytes Page：138 Pages	MC9S12DT128 Device User Guide V02.09 Overview TheMC9S12DT128microcontrollerunit(MCU)isa16-bitdevicecomposedofstandardon-chipperipheralsincludinga16-bitcentralprocessingunit(HCS12CPU),128Kbyt)esofFlashEEPROM,8KbytesofRAM,2KbytesofEEPROM,twoasynchronousserialcommunicationsinterfaces(SCI),twose	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
S12MMCV4	文件：2.08375 Mbytes Page：138 Pages	MC9S12DT128 Device User Guide V02.09 Overview TheMC9S12DT128microcontrollerunit(MCU)isa16-bitdevicecomposedofstandardon-chipperipheralsincludinga16-bitcentralprocessingunit(HCS12CPU),128Kbyt)esofFlashEEPROM,8KbytesofRAM,2KbytesofEEPROM,twoasynchronousserialcommunicationsinterfaces(SCI),twose	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
S12MMCV4	文件：83.63 Kbytes Page：2 Pages	Automotive applications Overview FreescaleSemiconductor’sHCS12Familyofmicrocontrollers(MCUs)isthenextgenerationofthehighlysuccessful68HC12architecture.UsingFreescale’sindustry-leading0.25µsFlash,theMC9S12DG256ispartofapin-compatiblefamilythatscalesfrom32KBto512KBofFlashmemory.	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale
S12MMCV4D	文件：2.08375 Mbytes Page：138 Pages	MC9S12DT128 Device User Guide V02.09 Overview TheMC9S12DT128microcontrollerunit(MCU)isa16-bitdevicecomposedofstandardon-chipperipheralsincludinga16-bitcentralprocessingunit(HCS12CPU),128Kbyt)esofFlashEEPROM,8KbytesofRAM,2KbytesofEEPROM,twoasynchronousserialcommunicationsinterfaces(SCI),twose	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
S12MSCANV2	文件：83.63 Kbytes Page：2 Pages	Automotive applications Overview FreescaleSemiconductor’sHCS12Familyofmicrocontrollers(MCUs)isthenextgenerationofthehighlysuccessful68HC12architecture.UsingFreescale’sindustry-leading0.25µsFlash,theMC9S12DG256ispartofapin-compatiblefamilythatscalesfrom32KBto512KBofFlashmemory.	freescaleFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	freescale

产品属性

产品编号：
S12M
制造商：
GeneSiC Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
12A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
底座，接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商器件封装：
DO-4
工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
描述：
DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4

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