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S1227_15	文件：238.01 Kbytes Page：5 Pages	Si photodiodes 文件：238.01 Kbytes 页数：5 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S12271_15	文件：326.8 Kbytes Page：4 Pages	Si PIN photodiode 文件：326.8 Kbytes 页数：4 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S1227-1010BQ	文件：147.13 Kbytes Page：4 Pages	Si photodiode For UV to visible, precision photometry; suppressed IR sensitivity 文件：147.13 Kbytes 页数：4 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S1227-1010BR	文件：147.13 Kbytes Page：4 Pages	Si photodiode For UV to visible, precision photometry; suppressed IR sensitivity 文件：147.13 Kbytes 页数：4 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S1227-16BQ	文件：147.13 Kbytes Page：4 Pages	Si photodiode For UV to visible, precision photometry; suppressed IR sensitivity 文件：147.13 Kbytes 页数：4 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S1227-16BR	文件：147.13 Kbytes Page：4 Pages	Si photodiode For UV to visible, precision photometry; suppressed IR sensitivity 文件：147.13 Kbytes 页数：4 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S1227-33BQ	文件：147.13 Kbytes Page：4 Pages	Si photodiode For UV to visible, precision photometry; suppressed IR sensitivity 文件：147.13 Kbytes 页数：4 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S1227-33BR	文件：147.13 Kbytes Page：4 Pages	Si photodiode For UV to visible, precision photometry; suppressed IR sensitivity 文件：147.13 Kbytes 页数：4 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S1227-66BQ	文件：147.13 Kbytes Page：4 Pages	Si photodiode For UV to visible, precision photometry; suppressed IR sensitivity 文件：147.13 Kbytes 页数：4 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU

技术参数

象元数：
1
封装：
陶瓷
制冷：
非制冷
反偏电压（最大）：
5V
光谱响应范围：
190 to 1000 nm
峰值波长：
720 nm
灵敏度：
0.36 A/W
暗电流：
50 pA
上升时间（典型值）：
7 μs
结电容：
3000 pF
测试条件：
Ta=25 ℃，除非特别说明均为典型值。灵敏度：λ=720nm，暗电流： VR=10m V，结电容： VR=0V f=10KHz

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