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S1227-1010BQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	适用于紫外到可见光精密光度计测抑制近红外波段灵敏度 \n-高紫外灵敏度（石英窗类型）: QE＝75 % (λ=200 nm)\n-抑制近红外波段灵敏度\n-低暗电流;	Hamamatsu 滨松光子	Hamamatsu
S1227-1010BQ	文件：147.13 Kbytes Page：4 Pages	Si photodiode For UV to visible, precision photometry; suppressed IR sensitivity 文件：147.13 Kbytes 页数：4 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S1227-1010BR	文件：147.13 Kbytes Page：4 Pages	Si photodiode For UV to visible, precision photometry; suppressed IR sensitivity 文件：147.13 Kbytes 页数：4 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S12B-PH-KL	文件：0 bytes Page：0 Pages	JST N/A	JST JST集团上传：深圳市云泰半导体科技有限公司二部	JST
S12B-PH-K-S	文件：0 bytes Page：0 Pages	JST N/A	JST JST集团上传：深圳市云泰半导体科技有限公司二部	JST

技术参数

象元数：
1
封装：
陶瓷
制冷：
非制冷
反偏电压（最大）：
5V
光谱响应范围：
190 to 1000 nm
峰值波长：
720 nm
灵敏度：
0.36 A/W
暗电流：
50 pA
上升时间（典型值）：
7 μs
结电容：
3000 pF
测试条件：
Ta=25 ℃，除非特别说明均为典型值。灵敏度：λ=720nm，暗电流： VR=10m V，结电容： VR=0V f=10KHz

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