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RYM002N05	文件：300 bytes Page：1 Pages	0.9V Drive Nch MOSFET 电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 •0.9V驱动型 Nch 小信号MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
RYM002N05	文件：322.85 Kbytes Page：6 Pages	丝印：QJ；Package：VMT3；0.9V Drive Nch MOSFET 文件：322.85 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RYU002N05	文件：981.64 Kbytes Page：6 Pages	0.9V Drive Nch MOSFET 文件：981.64 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RUB002N05	文件：316.46 Kbytes Page：6 Pages	1.2V Drive Nch MOSFET 文件：316.46 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RUC002N05	文件：202.03 Kbytes Page：6 Pages	1.2V Drive Nch MOSFET 文件：202.03 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RUC002N05	文件：205.87 Kbytes Page：6 Pages	1.2V Drive Nch MOSFET 文件：205.87 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
VMT3
包装数量：
8000
最小独立包装数量：
8000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-723
JEITA Package：
SC-105AA
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
50
Drain Current ID[A]：
0.2
RDS(on)[Ω] VGS=0.9V(Typ.)：
3
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ.)：
2.2
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)：
2
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)：
1.7
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
1.6
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
3
Power Dissipation (PD)[W]：
0.15
Drive Voltage[V]：
0.9
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
1.2x1.2 (t=0.5)

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