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SG2016CAA-o	文件：488.98 Kbytes Page：2 Pages	SG2016CAA-datesheet	YXCSHENZHEN YANGXING TECHNOLOGY CO., LTD 扬兴深圳扬兴科技有限公司	YXC
SG2016CAN	文件：419.07 Kbytes Page：2 Pages	CRYSTALOSCILLATOR(SPXO)	SIISeiko Instruments Inc 精工爱普生精工爱普生株式会社	SII
SG2016CAN	文件：514.068 Kbytes Page：2 Pages	爱普生MHZ晶体振荡器SG2016CAN选型规格书	YXCSHENZHEN YANGXING TECHNOLOGY CO., LTD 扬兴深圳扬兴科技有限公司	YXC
SG2016CAN	文件：506.74 Kbytes Page：2 Pages	CRYSTALOSCILLATOR(SPXO)OUTPUT:CMOS	EPSONEpson Company 爱普生精工爱普生株式会社	EPSON
SGM2016	文件：112.28 Kbytes Page：4 Pages	GaAsN-channelDual-GateMESFET Description TheSGM2016M/PisanN-channeldual-gateGaAsMESFETforUHF-bandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingUHFTVtuners,cellularradio,andDBSIFamplifiers. Features •Lowvoltageoperation •LownoiseNF=1.2dB(typ.)at900MHz	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
SGM2016	文件：61.48 Kbytes Page：5 Pages	GaAsN-channelDual-GateMESFET Description TheSGM2016AM/APisanN-channeldual-gateGaAsMESFETforUHF-bandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingUHFTVtuners,cellular/cordlessphone,andDBSIFamplifiers. Features •Lowvoltageoperation •LownoiseNF=1.2dB(typ.	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
SGM2016AM	文件：61.48 Kbytes Page：5 Pages	GaAsN-channelDual-GateMESFET Description TheSGM2016AM/APisanN-channeldual-gateGaAsMESFETforUHF-bandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingUHFTVtuners,cellular/cordlessphone,andDBSIFamplifiers. Features •Lowvoltageoperation •LownoiseNF=1.2dB(typ.	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
SGM2016AN	文件：56.22 Kbytes Page：5 Pages	GaAsN-channelDual-GateMESFET Description TheSGM2016ANisanN-channeldual-gateGaAsMESFETforUHF-bandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingUHFTVtuners,cellular/cordlessphone,andDBSIFamplifiers. Features •Ultra-smallpackage •Lowvoltageoperation •Lowno	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
SGM2016AP	文件：61.48 Kbytes Page：5 Pages	GaAsN-channelDual-GateMESFET Description TheSGM2016AM/APisanN-channeldual-gateGaAsMESFETforUHF-bandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingUHFTVtuners,cellular/cordlessphone,andDBSIFamplifiers. Features •Lowvoltageoperation •LownoiseNF=1.2dB(typ.	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
SGM2016M	文件：112.28 Kbytes Page：4 Pages	GaAsN-channelDual-GateMESFET Description TheSGM2016M/PisanN-channeldual-gateGaAsMESFETforUHF-bandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingUHFTVtuners,cellularradio,andDBSIFamplifiers. Features •Lowvoltageoperation •LownoiseNF=1.2dB(typ.)at900MHz	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony

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