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SGM2016	文件：112.28 Kbytes Page：4 Pages	GaAs N-channel Dual-Gate MES FET Description The SGM2016M/P is an N-channel dual-gate GaAs MES FET for UHF-band low-noise amplification. This FET is suitable for a wide range of applications including UHF TV tuners, cellular radio, and DBS IF amplifiers. Features • Low voltage operation • Low noise NF = 1.2dB (typ.) at 900MHz 文件：112.28 Kbytes 页数：4 Pages	SONYSony Corporation 索尼	SONY
SGM2016	文件：61.48 Kbytes Page：5 Pages	GaAs N-channel Dual-Gate MES FET Description The SGM2016AM/AP is an N-channel dual-gate GaAs MES FET for UHF-band low-noise amplification. This FET is suitable for a wide range of applications including UHF TV tuners, cellular/cordless phone, and DBS IF amplifiers. Features • Low voltage operation • Low noise NF = 1.2dB (typ. 文件：61.48 Kbytes 页数：5 Pages	SONYSony Corporation 索尼	SONY
SGM2016	文件：300 bytes Page：1 Pages	GaAs N-channel Dual-Gate MES FET	Sony 索尼	Sony
SGM2016AM	文件：61.48 Kbytes Page：5 Pages	GaAs N-channel Dual-Gate MES FET Description The SGM2016AM/AP is an N-channel dual-gate GaAs MES FET for UHF-band low-noise amplification. This FET is suitable for a wide range of applications including UHF TV tuners, cellular/cordless phone, and DBS IF amplifiers. Features • Low voltage operation • Low noise NF = 1.2dB (typ. 文件：61.48 Kbytes 页数：5 Pages	SONYSony Corporation 索尼	SONY
SGM2016AN	文件：56.22 Kbytes Page：5 Pages	GaAs N-channel Dual-Gate MES FET Description The SGM2016AN is an N-channel dual-gate GaAs MES FET for UHF-band low-noise amplification. This FET is suitable for a wide range of applications including UHF TV tuners, cellular/cordless phone, and DBS IF amplifiers. Features • Ultra-small package • Low voltage operation • Low no 文件：56.22 Kbytes 页数：5 Pages	SONYSony Corporation 索尼	SONY
SGM2016AP	文件：61.48 Kbytes Page：5 Pages	GaAs N-channel Dual-Gate MES FET Description The SGM2016AM/AP is an N-channel dual-gate GaAs MES FET for UHF-band low-noise amplification. This FET is suitable for a wide range of applications including UHF TV tuners, cellular/cordless phone, and DBS IF amplifiers. Features • Low voltage operation • Low noise NF = 1.2dB (typ. 文件：61.48 Kbytes 页数：5 Pages	SONYSony Corporation 索尼	SONY
SGM2016M	文件：112.28 Kbytes Page：4 Pages	GaAs N-channel Dual-Gate MES FET Description The SGM2016M/P is an N-channel dual-gate GaAs MES FET for UHF-band low-noise amplification. This FET is suitable for a wide range of applications including UHF TV tuners, cellular radio, and DBS IF amplifiers. Features • Low voltage operation • Low noise NF = 1.2dB (typ.) at 900MHz 文件：112.28 Kbytes 页数：4 Pages	SONYSony Corporation 索尼	SONY
SGM2016P	文件：112.28 Kbytes Page：4 Pages	GaAs N-channel Dual-Gate MES FET Description The SGM2016M/P is an N-channel dual-gate GaAs MES FET for UHF-band low-noise amplification. This FET is suitable for a wide range of applications including UHF TV tuners, cellular radio, and DBS IF amplifiers. Features • Low voltage operation • Low noise NF = 1.2dB (typ.) at 900MHz 文件：112.28 Kbytes 页数：4 Pages	SONYSony Corporation 索尼	SONY
SGM2016AN	文件：300 bytes Page：1 Pages	GaAs N-channel Dual-Gate MES FET	Sony 索尼	Sony
SGM2016M	文件：300 bytes Page：1 Pages	GaAs N-channel Dual-Gate MES FET	Sony 索尼	Sony

详细参数

型号：
SGM2016
制造商：
SONY
制造商全称：
Sony Corporation
功能描述：
GaAs N-channel Dual-Gate MES FET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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