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RXR	文件：785 Kbytes Page：2 Pages	rohs compliance	Surge Surge Components	Surge
RXR035N03	文件：1.22167 Mbytes Page：7 Pages	Marking：XQ；Package：TSMT3；4V Drive Nch MOSFET ■MOSFETs ●SmallSignalMOSFETSeries ●MiddlePowerMOSFETSeries ●PowerMOSFETSeries ■SelectorGuideforAutomotiveMOSFETs(AEC-Q101) ■BipolarTransistors(Surfacemounttype) ■TransistorArray ■ComplexBipolarTransistors ■DigitalTransistors ■ComplexDigitalTransis	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RXR035N03	文件：487.59 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RXR035N03	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Nch MOSFET; ・4V驱动型 Nch 中功率MOSFET;	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RXR220M2WBK-1030	文件：300 bytes Page：1 Pages	引线型铝电解电容;	LELONLelon electronics Corp. 立隆电子立隆电子工业股份有限公司	LELON
RXR220M2WBK-1030S	文件：300 bytes Page：1 Pages	RXR Radial-Leaded Electrolytic Capacitors;	Surge Surge Components	Surge

技术参数

Package Code：
SOT-346T
JEITA Package：
SC-96
Package Size[mm]：
2.9x2.8(t=1.0max.)
Applications：
Switching
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
30
Drain Current ID[A]：
3.5
RDS(on)[Ω] VGS=4V (Typ.)：
0.05
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V (Typ.)：
0.045
RDS(on)[Ω] VGS=10V (Typ.)：
0.035
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.05
Total gate charge Qg[nC]：
3.3
Power Dissipation (PD)[W]：
1.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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