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RX3P12BAT	文件：2.79733 Mbytes Page：14 Pages	丝印：RX3P12BAT；Package：TO-220AB；Pch -100V -120A Power MOSFET Features 1) Low on - resistance 2) High power small mold package (TO220AB) 3) Pb-free plating ; RoHS compliant 4) 100 UIS tested Application Switching 文件：2.79733 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RX3P12BAT	文件：300 bytes Page：1 Pages	Pch -100V -120A Power MOSFET RX3P12BAT is a low on-resistance power MOSFET suitable for switching applications. • Low on - resistance\n• High power small mold package(TO220AB)\n• Pb-free plating ; RoHS compliant\n• 100% UIS tested;	ROHM 罗姆	ROHM
3P12	文件：158.63 Kbytes Page：3 Pages	3/8 Square Drive Sockets, SAE 文件：158.63 Kbytes 页数：3 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
RX424730	文件：0 bytes Page：0 Pages	SCHRACK DIP	SCHRACK 上传：深圳市得捷芯城科技有限公司	SCHRACK
RX8010SJ	文件：0 bytes Page：0 Pages	EPSON SOIC8	EPSON 爱普生上传：深圳市宏捷佳电子科技有限公司	EPSON

技术参数

封装：
TO-220AB
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
50
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Package Code：
TO-220AB
Applications：
Switching
Number of terminal：
3
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-100
Drain Current ID[A]：
-120
RDS(on)[Ω] VGS=6V(Typ.)：
0.0105
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.0094
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.0105
Total gate charge Qg[nC]：
255
Power Dissipation (PD)[W]：
201
Drive Voltage[V]：
6
Trr (Typ.)[ns]：
62
Mounting Style：
Leaded type
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
10.16x15.35 (t=4.64)

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