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RW1A013ZP	文件：209.17 Kbytes Page：5 Pages	丝印：T2R；Package：WEMT6；1.5V Drive Pch MOSFET ■MOSFETs ●SmallSignalMOSFETSeries ●MiddlePowerMOSFETSeries ●PowerMOSFETSeries ■SelectorGuideforAutomotiveMOSFETs(AEC-Q101) ■BipolarTransistors(Surfacemounttype) ■TransistorArray ■ComplexBipolarTransistors ■DigitalTransistors ■ComplexDigitalTransis	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
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RW1A013ZP

文件：209.17 Kbytes

Page：5 Pages

丝印：T2R；Package：WEMT6；1.5V Drive Pch MOSFET

■MOSFETs ●SmallSignalMOSFETSeries ●MiddlePowerMOSFETSeries ●PowerMOSFETSeries ■SelectorGuideforAutomotiveMOSFETs(AEC-Q101) ■BipolarTransistors(Surfacemounttype) ■TransistorArray ■ComplexBipolarTransistors ■DigitalTransistors ■ComplexDigitalTransis

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

RW1A013ZP

文件：300 bytes

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1.5V Drive Pch MOSFET; •低电压1.5V驱动型 Pch MOSFET;

电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
WEMT6
包装数量：
8000
最小独立包装数量：
8000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
SOT-563T
JEITA Package：
SC-120
Package Size[mm]：
1.6x1.6 (t=0.6)
Number of terminal：
6
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-12
Drain Current ID[A]：
-1.3
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)：
0.53
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)：
0.28
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.19
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.53
Total gate charge Qg[nC]：
2.4
Power Dissipation (PD)[W]：
0.7
Drive Voltage[V]：
-1.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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