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RV8C010UNHZG	文件：300 bytes Page：1 Pages	高安装可靠性 DFN1010, Nch 20V 1A, 车载用小信号MOSFET RV8C010UNHZG是具有较高安装可靠性的车载用超小型MOSFET，利用先进的Wettable Flank成型技术确保封装侧面电极部分的高度为125μm。采用底部电极结构的封装确保稳定的焊接品质，使部件安装后焊接状态的自动光学检查(AOI)更准确。有助于车载ECU和ADAS相机模块等车载部件的小型化。适合用于高边负载开关、开关电路、继电器驱动器。 • Leadless ultra small and exposed drain pad for excellent thermal conduction SMD plastic package (1.0×1.0×0.4mm)\n• AEC-Q101 qualified\n• Very fast switching\n• Ultra low voltage drive (2.5V drive)\n;	ROHM 罗姆	ROHM
RV8C010UNHZG	文件：4.18949 Mbytes Page：14 Pages	丝印：TJ；Package：DFN1010-3W；Nch 20V 1A Small Signal MOSFET 文件：4.18949 Mbytes 页数：14 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
DFN1010-3W (Wettable Flank)
包装数量：
8000
最小独立包装数量：
8000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
DFN1010-3W
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
20
Drain Current ID[A]：
1
RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ.)：
0.7
RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.)：
0.54
RDS(on)[Ω] VGS=1.8V(Typ.)：
0.47
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)：
0.4
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.34
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.7
Power Dissipation (PD)[W]：
1
Drive Voltage[V]：
1.2
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
1x1 (t=0.45)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RV8C010UNHZG供应商更新时间2025-10-7 8:51:00

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