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RURD4120S_F085	文件：300 bytes Page：1 Pages	1200V，4A，2.1V，DPAKUltrafast 二极管; •超快速软恢复。 . . . . . . . . . . . . . . . . . . <70ns\n•工作温度。 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175℃\n•反向电压。 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200 V\n•雪崩能量额定值\n•平面结构\n•符合ACE Q101\n•符合 RoHS 标准\n; RURD4120S9A_F085 是具有软恢复特性 (trr<70 ns) 的超快速二极管。它们具有低正向压降，并采用氮化硅钝化的离子布植式外延平面结构。这些器件在多种开关电源及其他功率开关应用中用作续流/箝位二极管和整流器。其低存储电荷和超快速软恢复特性在许多电源开关电路中可最大限度地减小振铃和电噪声，降低开关晶体管中的功率损耗。	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
RURD4120S_F085	文件：466.52 Kbytes Page：5 Pages	4A, 1200V Ultrafast Diodes	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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RURD4120S_F085

文件：300 bytes

Page：1 Pages

1200V，4A，2.1V，DPAKUltrafast 二极管; •超快速软恢复。 . . . . . . . . . . . . . . . . . . <70ns\n•工作温度。 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175℃\n•反向电压。 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200 V\n•雪崩能量额定值\n•平面结构\n•符合ACE Q101\n•符合 RoHS 标准\n;

RURD4120S9A_F085 是具有软恢复特性 (trr<70 ns) 的超快速二极管。它们具有低正向压降，并采用氮化硅钝化的离子布植式外延平面结构。这些器件在多种开关电源及其他功率开关应用中用作续流/箝位二极管和整流器。其低存储电荷和超快速软恢复特性在许多电源开关电路中可最大限度地减小振铃和电噪声，降低开关晶体管中的功率损耗。

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

RURD4120S_F085

文件：466.52 Kbytes

Page：5 Pages

4A, 1200V Ultrafast Diodes

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Type：
Single
IO(rec) Max (A)：
4
trr Max (ns)：
90
VRRM Max (V)：
1200
VFM Max (V)：
2.1
IFSM Max (A)：
40
IR Max (mA)：
0.1
Package Type：
DPAK-3/TO-252-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RURD4120S_F085供应商更新时间2025-7-27 11:10:00

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