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TCMT4106	文件：336.44 Kbytes Page：9 Pages	Optocoupler,PhototransistorOutput,QuadChannel,HalfPitchMini-FlatPackage DESCRIPTION TheTCMT410.seriesconsistofaphototransistoroptically coupledtoagalliumarsenideinfrared-emittingdiodeina 16pin(quadchannel)package. FEATURES •Lowprofilepackage(halfpitch) •ACisolationtestvoltage3750VRMS •Lowcouplingcapacitanceoftypical0.3pF	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TSG4106A	文件：1.56127 Mbytes Page：24 Pages	RFVectorSignalGenerators	TEKTRONIXTektronix 泰克泰克科技(中国)有限公司	TEKTRONIX
TTC-4106	文件：379.16 Kbytes Page：2 Pages	CommonModeChokes&CoupledInductors	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
ZVN4106F	文件：41.02 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSFET SOT23N-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSFET PARMARKINGDETAIL-MZ	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZVN4106F	文件：52.09 Kbytes Page：2 Pages	SOT23N-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSFET Features •BVDSS>60V •RDS(on)≤2.5Ω@VGS=10V •MaximumcontinuousdraincurrentID=200mA •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
ZVN4106FTA	文件：327.29 Kbytes Page：6 Pages	60VN-CHANNELENHANCEMENTMODEVERTICALDMOSFETINSOT23 Features •BVDSS>60V •RDS(on)≤2.5Ω@VGS=10V •MaximumcontinuousdraincurrentID=200mA •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighReliability	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
ZVN4106FTA	文件：1.00447 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •LowThreshold:2V(typ.) •LowInputCapacitance:25pF •FastSwitchingSpeed:25ns •LowInputandOutputLeakage •TrenchFET®PowerMOSFET •1200VESDProtection •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC BENEFITS •Low	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
RUNTK4106TPZC
制造商：
Sharp Microelectronics Corporation
功能描述：
LCD CONTROL PWB

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更多RUNTK4106TPZC供应商更新时间2025-5-21 18:00:00

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