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RU60E5D

N-Channel Advanced Power MOSFET

文件:245.76 Kbytes 页数:8 Pages

RUICHIPS

锐骏半导体

RU60E5D

Trench MOSFET

Ruichips

锐骏半导体

RU60E5H

N-Channel Advanced Power MOSFET

文件:271.13 Kbytes 页数:9 Pages

RUICHIPS

锐骏半导体

RU60E5H

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.27546 Mbytes 页数:5 Pages

DOINGTER

杜因特

STB60E5

SURFACE MOUNT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

文件:73.52 Kbytes 页数:4 Pages

EIC

技术参数

  • Package:

    SOT-223

  • Vds(V):

    60

  • Vgs(V):

    20

  • Id(A)/25℃:

    5

  • Id(A)/100℃:

    4

  • Rds(on)/Typ(mΩ)/Vgs=10v:

    58.0

  • Rds(on)/Typ(mΩ)/Vgs=4.5v:

    70.0

  • Qg/Typ(nC):

    16

  • Application:

    Power Management

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
RUICHIPS
2025+
SOT223
5000
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Ruichips(锐骏半导体)
25+
SOT-223
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22+23+
SOT-223
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RUICHIPS
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SOT223
41200
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RUICHIPS
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SOT223
60000
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RUICHIPS
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SOT-223
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VBsemi
23+
SOT223-3
50000
全新原装正品现货,支持订货
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23+
SOT223
50000
全新原装正品现货,支持订货
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RUICHIPS
2022+
SOT-223
4000
原厂代理 终端免费提供样品
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VBsemi
21+
SOT223-3
10065
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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更多RU60E5D供应商 更新时间2025-11-29 15:08:00