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RU60E25L	文件：277.02 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Advanced Power MOSFET 文件：277.02 Kbytes 页数：9 Pages	RUICHIPS 锐骏半导体	RUICHIPS
RU60E25L	文件：896.93 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET 文件：896.93 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
RU60E25L	文件：1.58419 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.58419 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
RU60E25L	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trench MOSFET	Ruichips 锐骏半导体	Ruichips

技术参数

Package：
TO-252
Vds(V)：
60
Vgs(V)：
20
Id(A)/25℃：
25
Id(A)/100℃：
19
Rds(on)/Typ(mΩ)/Vgs=10v：
35.0
Rds(on)/Typ(mΩ)/Vgs=4.5v：
42.0
Qg/Typ(nC)：
55
Application：
Power Management

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RU60E25L供应商更新时间2025-11-30 10:38:00

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