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RU6075R	文件：295.62 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel Advanced Power MOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司	RUICHIPS
SG-BGA-6075	文件：40.74 Kbytes Page：3 Pages	Ballguidepreventsovercompressionofelastomer	IRONWOOD Ironwood Electronics.	IRONWOOD
STB6075	文件：73.52 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTBIDIRECTIONALTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STB6075	文件：78.26 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTBIDIRECTIONALTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STC6075Q	文件：434.11 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconTransistor	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
STC6075Q	文件：434.11 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconTransistor Descriptions •Generalpurposeamplifier •Highvoltageapplication Features •Highcollectorbreakdownvoltage :VCEO=90V •Lowcollectorsaturationvoltage :VCE(sat)=0.5V(MAX.)	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
STU6075	文件：28.4 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR VBR:6.8-440Volts PPK:600Watts FEATURES: 600Wsurgecapabilityat1ms Excellentclampingcapability Lowzenerimpedance Fastresponsetime:typicallylessthen1.0psfrom0volttoVBR(min.) TypicalIRlessthen1mAabove10V Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STU6075	文件：61.72 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
SZ6075	文件：483.079 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE
SZ6075	文件：482.201 Kbytes Page：2 Pages	5W75VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE

详细参数

型号：
RU6075R
制造商：
RUICHIPS
制造商全称：
RUICHIPS
功能描述：
N-Channel Advanced Power MOSFET

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