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RU30L30M

P-Channel Advanced Power MOSFET Super High Dense Cell Design

文件:276.88 Kbytes 页数:9 Pages

RUICHIPS

锐骏半导体

RU30L30M

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件:1.76821 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

RU30L30M3

P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

文件:1.00472 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

RU30L30L

P-Channel Advanced Power MOSFET

Ruichips

锐骏半导体

RU30L30M

Trench MOSFET

Ruichips

锐骏半导体

RU30L30M3

Trench MOSFET

Ruichips

锐骏半导体

技术参数

  • Package:

    PDFN3333

  • Vds(V):

    -30

  • Vgs(V):

    20

  • Id(A)/25℃:

    -30

  • Id(A)/100℃:

    -19

  • Rds(on)/Typ(mΩ)/Vgs=10v:

    12.0

  • Rds(on)/Typ(mΩ)/Vgs=4.5v:

    20.0

  • Qg/Typ(nC):

    42

  • Application:

    Power Management

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多RU30L30供应商 更新时间2026-3-16 14:13:00