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RU20E60L	文件：334.4 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel Advanced Power MOSFET	RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司	RUICHIPS
RU20E60L	文件：1.44111 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
TK20E60U	文件：250.37 Kbytes Page：9 Pages	SwitchingVoltageRegulators	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK20E60U	文件：337.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
TK20E60U	文件：250.37 Kbytes Page：9 Pages	SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.165Ω(typ.) (2)Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=12S(typ.) (3)Lowleakagecurrent:IDSS=100µA(max)(VDS=600V) (4)Enhancementmode:Vth=3.0to5.0V(VDS=10V,ID=1mA) Applications •SwitchingVoltageRegulat	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK20E60W	文件：253.81 Kbytes Page：10 Pages	MOSFETsSiliconN-ChannelMOS Applications •SwitchingVoltageRegulators Features (1)Lowdrain-sourceon-resistance:RDS(ON)=0.13Ω(typ.) byusedtoSuperJunctionStructure:DTMOS (2)EasytocontrolGateswitching (3)Enhancementmode:Vth=2.7to3.7V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TK20E60W	文件：328.89 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
V20E60P	文件：1.71269 Mbytes Page：12 Pages	Reducedfootprintandvolumerequiredforsurgeprotection	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse

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