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RU1005	文件：4.8118 Mbytes Page：20 Pages	Passive components sales offices 文件：4.8118 Mbytes 页数：20 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG
RU1088R	文件：414.8 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel Advanced Power MOSFET 文件：414.8 Kbytes 页数：11 Pages	RUICHIPS 锐骏半导体	RUICHIPS
RU120N15Q	文件：486.82 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel Advanced Power MOSFET 文件：486.82 Kbytes 页数：11 Pages	RUICHIPS 锐骏半导体	RUICHIPS
RU120N15R	文件：1.73626 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.73626 Mbytes 页数：7 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
RU120N15R	文件：486.8 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel Advanced Power MOSFET 文件：486.8 Kbytes 页数：11 Pages	RUICHIPS 锐骏半导体	RUICHIPS
RU12200R	文件：444.07 Kbytes Page：8 Pages	丝印：RU12200R；Package：TO220；N-Channel Advanced Power MOSFET 文件：444.07 Kbytes 页数：8 Pages	RUICHIPS 锐骏半导体	RUICHIPS
RU140N10R	文件：1.59965 Mbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced SGT technology 文件：1.59965 Mbytes 页数：5 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
RU140N10R	文件：455.35 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel Advanced Power MOSFET 文件：455.35 Kbytes 页数：11 Pages	RUICHIPS 锐骏半导体	RUICHIPS
RU1608	文件：4.8118 Mbytes Page：20 Pages	Passive components sales offices 文件：4.8118 Mbytes 页数：20 Pages	SAMSUNG 三星	SAMSUNG

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技术参数

IF(AV)@TL(℃)：
50
VRRM(V)：
400
IFSM(A)：
15
VF@IF(V)：
2.5
VF@IF(A)：
0.25
IR(mA)：
10
Trr(ns)：
400

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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