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RTR025N03TL	文件：54.91 Kbytes Page：3 Pages	2.5V Drive Nch MOS FET Features 1)LowOn-resistance. 2)Spacesaving−smallsurfacemountpackage(TSMT3). 3)Lowvoltagedrive(2.5Vdrive). Applications Switching	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RTR025N03TL	文件：1.02544 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
025N03LS	文件：390.07 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??Power-MOSFET Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel;Logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •Avalanc	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
025N03MS	文件：298.6 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??M-SeriesPower-MOSFET Features •Optimizedfor5Vdriverapplication(Notebook,VGA,POL) •LowFOMSWforHighFrequencySMPS •100avalanchetested •N-channel •Verylowon-resistanceRDS(on)@VGS=4.5V •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSC025N03LS	文件：390.07 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??Power-MOSFET Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel;Logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •Avalanc	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSC025N03LSG	文件：390.07 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??Power-MOSFET Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel;Logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •Avalanc	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSC025N03MS	文件：298.6 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??M-SeriesPower-MOSFET Features •Optimizedfor5Vdriverapplication(Notebook,VGA,POL) •LowFOMSWforHighFrequencySMPS •100avalanchetested •N-channel •Verylowon-resistanceRDS(on)@VGS=4.5V •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BSC025N03MSG	文件：298.6 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??M-SeriesPower-MOSFET Features •Optimizedfor5Vdriverapplication(Notebook,VGA,POL) •LowFOMSWforHighFrequencySMPS •100avalanchetested •N-channel •Verylowon-resistanceRDS(on)@VGS=4.5V •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
RSR025N03	文件：81.21 Kbytes Page：4 Pages	Switching(30V,2.5A) ■MOSFETs ●SmallSignalMOSFETSeries ●MiddlePowerMOSFETSeries ●PowerMOSFETSeries ■SelectorGuideforAutomotiveMOSFETs(AEC-Q101) ■BipolarTransistors(Surfacemounttype) ■TransistorArray ■ComplexBipolarTransistors ■DigitalTransistors ■ComplexDigitalTransis	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RSR025N03	文件：70.85 Kbytes Page：4 Pages	4VDriveNchMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RSR025N03	文件：65 Kbytes Page：4 Pages	4VDriveNchMOSFET 4VDriveNchMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Built-inG-SProtectionDiode. 3)SmallSurfaceMountPackage(TSMT3). Application Powerswitching,DC/DCconverter. Structure SiliconN-channel MOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RSR025N03	文件：476.06 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RSR025N03FRATL	文件：2.15634 Mbytes Page：14 Pages	Nch30V2.5ASmallSignalMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RSR025N03HZG	文件：2.68333 Mbytes Page：15 Pages	Nch30V2.5ASmallSignalMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RSR025N03TL	文件：475.97 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RSR025N03TL	文件：65 Kbytes Page：4 Pages	4VDriveNchMOSFET 4VDriveNchMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Built-inG-SProtectionDiode. 3)SmallSurfaceMountPackage(TSMT3). Application Powerswitching,DC/DCconverter. Structure SiliconN-channel MOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RTF025N03	文件：82.24 Kbytes Page：3 Pages	2.5VDriveNchMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RTF025N03	文件：88.75 Kbytes Page：3 Pages	2.5VDriveNchMOSFET	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RTF025N03	文件：86.99 Kbytes Page：3 Pages	2.5VDriveNchMOSFET ■MOSFETs ●SmallSignalMOSFETSeries ●MiddlePowerMOSFETSeries ●PowerMOSFETSeries ■SelectorGuideforAutomotiveMOSFETs(AEC-Q101) ■BipolarTransistors(Surfacemounttype) ■TransistorArray ■ComplexBipolarTransistors ■DigitalTransistors ■ComplexDigitalTransis	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RTF025N03	文件：1.06518 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
RTR025N03TL
功能描述：
MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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