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025N03LS	文件：390.07 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??Power-MOSFET Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel;Logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •Avalanc	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
025N03MS	文件：298.6 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??M-SeriesPower-MOSFET Features •Optimizedfor5Vdriverapplication(Notebook,VGA,POL) •LowFOMSWforHighFrequencySMPS •100avalanchetested •N-channel •Verylowon-resistanceRDS(on)@VGS=4.5V •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSC025N03LS	文件：390.07 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??Power-MOSFET Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel;Logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •Avalanc	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSC025N03LSG	文件：390.07 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??Power-MOSFET Features •FastswitchingMOSFETforSMPS •OptimizedtechnologyforDC/DCconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel;Logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •Avalanc	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSC025N03MS	文件：298.6 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??M-SeriesPower-MOSFET Features •Optimizedfor5Vdriverapplication(Notebook,VGA,POL) •LowFOMSWforHighFrequencySMPS •100avalanchetested •N-channel •Verylowon-resistanceRDS(on)@VGS=4.5V •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BSC025N03MSG	文件：298.6 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??M-SeriesPower-MOSFET Features •Optimizedfor5Vdriverapplication(Notebook,VGA,POL) •LowFOMSWforHighFrequencySMPS •100avalanchetested •N-channel •Verylowon-resistanceRDS(on)@VGS=4.5V •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
G025N03T	文件：974.32 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheG025N03Tusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedinawide varietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters	GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR 谷峰半导体	GOFORD
RSR025N03	文件：476.06 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RSR025N03	文件：65 Kbytes Page：4 Pages	4VDriveNchMOSFET 4VDriveNchMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Built-inG-SProtectionDiode. 3)SmallSurfaceMountPackage(TSMT3). Application Powerswitching,DC/DCconverter. Structure SiliconN-channel MOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RSR025N03	文件：70.85 Kbytes Page：4 Pages	4VDriveNchMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	RTR025N03TLMOS(场效应管)	ROHM/罗姆	2018+	TUMT3	36155		询价
深圳市鑫炜纳电子有限公司	RTR025N03TLMOS(场效应管)	ROHM/罗姆	2022+	TUMT3	36155	原厂原装,假一罚十	询价
深圳市湘达电子科技有限公司	RTR025N03TLMOS(场效应管)	ROHM/罗姆	2022+	TSMT3(SOT-346T)(SC-9	8000	只做原装支持实单,有单必成。	询价
深圳庞田科技有限公司	RTR025N03TLMOS(场效应管)	ROHM/罗姆	2023+	TSMT3(SOT-346T)(SC-9	50000	AI智能識别、工業、汽車、醫療方案LPC批量及配套一站	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	RTR025N03TL-VB		24+	N/A	79000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	RTR025N03TL贴片三极管	ROHM/罗姆	23+	SOT-23	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳硅原半导体有限公司	RTR025N03TL贴片三极管	ROHM/罗姆	23+	SOT23	28533	原盒原标,正品现货诚信经营价格美丽假一罚十!	询价
深圳市博中泰实业有限公司	RTR025N03TL贴片三极管	ROHM/罗姆	24+	SOT-23	60000		询价
深圳市正纳电子有限公司	RTR025N05	ROHM / 半导体	ROHS.ORIGINAL	原厂原装 .小批量支持	35800	电子元器件供应链.半导体代理,原装现货支持	询价
深圳市胜彬电子有限公司	RTR025N05	ROHM	22+	TSMT3	3000	原装正品,支持实单	询价

更多RTR025N03TL-CUTTAPE供应商更新时间2025-5-30 10:04:00

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