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RTQ020N03	文件：66.39 Kbytes Page：3 Pages	丝印：TR；Package：TSMT6；2.5V Drive Nch MOS FET ■ MOSFETs ● Small Signal MOSFET Series ● Middle Power MOSFET Series ● Power MOSFET Series ■ Selector Guide for Automotive MOSFETs (AEC-Q101) ■ Bipolar Transistors (Surface mount type) ■ Transistor Array ■ Complex Bipolar Transistors ■ Digital Transistors ■ Complex Digital Transis 文件：66.39 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RTQ020N03	文件：485.58 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Low On-Resistance • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converters, High Speed Switching 文件：485.58 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
RTQ020N03	文件：300 bytes Page：1 Pages	2.5V Drive Nch MOSFET 电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 •2.5V驱动型 Nch 中功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
RTQ020N03TR	文件：486.82 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Low On-Resistance • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converters, High Speed Switching 文件：486.82 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

封装：
TSMT6
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-457T
JEITA Package：
SC-95
Number of terminal：
6
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
30
Drain Current ID[A]：
2
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)：
0.138
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.094
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.089
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.138
Total gate charge Qg[nC]：
2.4
Power Dissipation (PD)[W]：
1.25
Drive Voltage[V]：
2.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2.9x2.8 (t=1)

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