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TPCF8304	文件：260.7 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOSIV) NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=60mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=5.9S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10μA(max)(VDS=−30V) •Enhancementmodel:Vth=−0.8to−2.0V,(VDS=−10V,ID=−1	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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制造商上传企业

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TPCF8304

文件：260.7 Kbytes

Page：7 Pages

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOSIV)

NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=60mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=5.9S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10μA(max)(VDS=−30V) •Enhancementmodel:Vth=−0.8to−2.0V,(VDS=−10V,ID=−1

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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