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STS8201	文件：442.48 Kbytes Page：8 Pages	DualN-ChannelMOSFET FEATURES •Halogen-freeOptionAvailable •TrenchFET®PowerMOSFETs •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STS8201	文件：565.17 Kbytes Page：8 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SurfaceMountPackage. ●ESDProtected.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
TA8201	文件：488.37 Kbytes Page：11 Pages	18WBTLx2CHAUDIOPOWERAMPLIFIER	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TA8201AH	文件：488.37 Kbytes Page：11 Pages	18WBTLx2CHAUDIOPOWERAMPLIFIER	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TA8201AK	文件：413.12 Kbytes Page：8 Pages	BTLAUDIOPOWERAMPLIFIER	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TD8201	文件：547.51 Kbytes Page：11 Pages	WhiteLEDStep-upConverter	TECHCODETECHCODE SEMICONDUCTOR, INC. 泰德美国泰德半导体有限公司	TECHCODE
TISP8201HDM	文件：481.45 Kbytes Page：7 Pages	COMPLEMENTARYBUFFERED-GATESCRSFORDUALPOLARITYSLICOVERVOLTAGEPROTECTION	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
TISP8201HDMR-S	文件：860.58 Kbytes Page：1 Pages	GR-1089-COREDualSupplyVoltage	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
TISP8201M	文件：286.01 Kbytes Page：11 Pages	COMPLEMENTARYBUFFERED-GATESCRSFORDUALPOLARITYSLICOVERVOLTAGEPROTECTION	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
TISP8201MDR	文件：329.38 Kbytes Page：13 Pages	COMPLEMENTARYBUFFERED-GATESCRSFORDUALPOLARITYSLICOVERVOLTAGEPROTECTION	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns

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更多RTL8201E-VC-GRIC供应商更新时间2025-5-20 11:00:00

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