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RTL035N03FRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	2.5V Drive Nch MOSFET (支持 AEC-Q101) 车载 MOSFET\n\n与通用品共用数据表。下订单时，请注意下列型号命名方式，编写为车载型号。 •2.5V驱动型 Nch 中功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
RTL035N03FRA	文件：921.52 Kbytes Page：3 Pages	2.5V Drive Nch MOSFET 文件：921.52 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RTL035N03TR	文件：61.11 Kbytes Page：3 Pages	2.5V Drive Nch MOSFET 文件：61.11 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RTQ035N03	文件：66.48 Kbytes Page：3 Pages	2.5V Drive Nch MOS FET ■ MOSFETs ● Small Signal MOSFET Series ● Middle Power MOSFET Series ● Power MOSFET Series ■ Selector Guide for Automotive MOSFETs (AEC-Q101) ■ Bipolar Transistors (Surface mount type) ■ Transistor Array ■ Complex Bipolar Transistors ■ Digital Transistors ■ Complex Digital Transis 文件：66.48 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RTQ035N03	文件：484.75 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Low On-Resistance • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converters, High Speed Switching 文件：484.75 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

封装：
TUMT6
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-363T
JEITA Package：
SC-113DA
Number of terminal：
6
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
30
Drain Current ID[A]：
3.5
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)：
0.056
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.042
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.04
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.056
Total gate charge Qg[nC]：
4.6
Power Dissipation (PD)[W]：
1
Drive Voltage[V]：
2.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2x2.1 (t=0.85)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

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更多RTL035N03FRA供应商更新时间2025-10-9 14:00:00

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