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RTL020P02FRA	文件：1.13374 Mbytes Page：8 Pages	2.5V Drive Pch MOSFET Features 1) Low on-resistance. (180mΩ at 2.5V) 2) High power package. 3) High speed switching. 4) Low voltage drive. (2.5V) Applications DC-DC converter 文件：1.13374 Mbytes 页数：8 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RTL020P02FRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	2.5V Drive Pch MOSFET (支持 AEC-Q101) 车载 MOSFET\n\n与通用品共用数据表。下订单时，请注意下列型号命名方式，编写为车载型号。 •2.5V驱动型 Pch 中功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
RTR020P02	文件：1.03519 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel 20-V (D-S) MOSFET 文件：1.03519 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
RTR020P02	文件：104.38 Kbytes Page：5 Pages	Switching (-20V, -2.0A) Features 1) Low On-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small and Surface Mount Package (TSMT3). Application Power switching, DC / DC converter. 文件：104.38 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RTR020P02	文件：110.98 Kbytes Page：5 Pages	Switching (??0V, ??.0A) Features 1) Low On-resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small and Surface Mount Package (TSMT3). Application Power switching, DC / DC converter. 文件：110.98 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TUMT6
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-363T
JEITA Package：
SC-113DA
Number of terminal：
6
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-20
Drain Current ID[A]：
-2
RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.)：
0.18
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.11
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.1
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.18
Total gate charge Qg[nC]：
4.9
Power Dissipation (PD)[W]：
1
Drive Voltage[V]：
-2.5
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2x2.1 (t=0.85)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

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