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ECH8612	文件：43.33 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDevice Features •LowON-resistance. •Bestsuitedforloadswitches. •1.8Vdrive. •Compositetype,facilitatinghigh-densitymounting.	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
EPC-8612F	文件：257.2 Kbytes Page：2 Pages	MultiVideoCapturePortsEmbeddedPC	PROTECHSYSTEMS Protech Systems Co., Ltd.	PROTECHSYSTEMS
G8612A	文件：213.7 Kbytes Page：2 Pages	BenchHeliumLeakDetector	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
G8612B	文件：643.79 Kbytes Page：2 Pages	BenchDryHeliumLeakDetector	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
G8612C	文件：208.33 Kbytes Page：2 Pages	BenchDryHeliumLeakDetector	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
G8612D	文件：609.45 Kbytes Page：2 Pages	BenchHeliumLeakDetector	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
LT8612	文件：2.95015 Mbytes Page：24 Pages	42V,750mASynchronousStep-DownRegulatorwith2.5關AQuiescentCurrent	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LT8612	文件：2.01549 Mbytes Page：24 Pages	42V,2A/3APeakSynchronousStep-DownRegulatorwith2.5μAQuiescentCurrent DESCRIPTION TheLT®8609Sisacompact,highefficiency,highspeed synchronousmonolithicstep-downswitchingregulator thatconsumesonly1.7μAofnon-switchingquiescent current.TheLT8609Scandeliver2Aofcontinuouscurrent withpeakloadsof3A(	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LT8612	文件：3.71271 Mbytes Page：34 Pages	DualChannel6A,42V,SynchronousStep-DownSilentSwitcher2with6.2μAQuiescentCurrent FEATURES -SilentSwitcher®2Architecture: -UltralowEMIonAnyPCB -EliminatesPCBLayoutSensitivity -InternalBypassCapacitorsReduceRadiatedEMI -OptionalSpreadSpectrumModulation -ExposedDiePackageforHeatSinkMount -6ADCfromEachChannelSimultaneously -Upto8AonE	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LT8612	文件：3.20123 Mbytes Page：30 Pages	65V,8ASynchronousStep-DownSilentSwitcherwith2.5μAQuiescentCurrent DESCRIPTION TheLT®8645S-2synchronousstep-downregulatorfeatures SilentSwitcherarchitecturedesignedtominimize EMIemissionswhiledeliveringhighefficiencyathigh switchingfrequencies.Thisperformancemakesthe LT8645S-2idealfornoisesensitiveapplicationsand environments. T	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

技术参数

Interface：
GPIO
Insertion Loss (dB) (dB)\>：
0.40 @1.0 GHz0.53 @2.7 GHz
RF to RF Isolation (dB)：
34 @1.0 GHz25 @2.7 GHz
InputP0.1dB(dBm)P0.1dB(dBm)\>：
3736.5
Vdd (V)：
2.45~4.8
Vctrl (V)：
1.35~3.6

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市兴联达电子有限公司(原兴达电子)	RTC8612FS	RICHWAVE	1823	QFN	14291	全新、原装	询价
深圳兆威电子有限公司	RTC8612FS		22+	SMD	586000	原装正品现货,可开13点税	询价
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深圳市威尔健半导体有限公司	RTC8612FS	RICHWAVE	23+	QFN	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	RTC8612FS	RICHWAVE立积	23+	SMD	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
深圳市威雅利发展有限公司	RTC8612FS	RICHWAVE	1816+	LBGA6	8642	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
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更多RTC8612FS供应商更新时间2025-7-28 10:03:00

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