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S-8209B	文件：473.63 Kbytes Page：26 Pages	BATTERYPROTECTIONICWITHCELL-BALANCEFUNCTION	ABLICABLIC Inc. 艾普凌科艾普凌科有限公司	ABLIC
SiT8209	文件：666.486 Kbytes Page：15 Pages	SiT8209-Rev1.1	YXCSHENZHEN YANGXING TECHNOLOGY CO., LTD 扬兴深圳扬兴科技有限公司	YXC
SIT8209	文件：667.33 Kbytes Page：7 Pages	HighFrequency,UltraPerformanceOscillator	SITIMESiTime Corp. 赛特时脉美商赛特时脉股份有限公司	SITIME
STF8209	文件：95.4 Kbytes Page：6 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). STU412STO-252Single-N STU420STO-252Single-N STU442STO-252Single-N STU410STO-252Single-N STU456ATO-252Single-N STU456STO-252Single-N STU448STO-252Single-N STU466STO-252Single-N STU446STO-252SingleN STU432LTO-252SingleN STU438ATO-252Single-N STU458STO-252SingleN	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STF8209A	文件：92.81 Kbytes Page：6 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). STU412STO-252Single-N STU420STO-252Single-N STU442STO-252Single-N STU410STO-252Single-N STU456ATO-252Single-N STU456STO-252Single-N STU448STO-252Single-N STU466STO-252Single-N STU446STO-252SingleN STU432LTO-252SingleN STU438ATO-252Single-N STU458STO-252SingleN	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STG8209	文件：628.23 Kbytes Page：8 Pages	DualN-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SurfaceMountPackage. ●ESDProtected.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
TPC8209	文件：1.02571 Mbytes Page：9 Pages	DualN-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100UISTested •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •SetTopBox •LowCurrentDC/DC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TPC8209	文件：312.48 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSII) LithiumIonBatteryApplications PortableEquipmentApplications NotebookPCApplications ●Smallfootprintduetosmallandthinpackage ●Lowdrain−sourceONresistance:RDS(ON)=30mΩ(typ.) ●Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=10S(typ.) ●Lowleakagecurrent:IDSS=10µA(max	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCS8209	文件：305.16 Kbytes Page：2 Pages	Highperformance,LowCost20pinOTP LithiumIonBatteryApplications NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=19mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=9.2S(typ.) •Lowleakagecurrent:ID	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCS8209	文件：362.44 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

产品属性

产品编号：
RT8209BGQW
制造商：
Richtek USA Inc.
类别：
集成电路（IC） > PMIC - 稳压器 - DC DC 开关式控制器
包装：
卷带（TR）
输出类型：
晶体管驱动器
功能：
降压
输出配置：
正
拓扑：
降压
输出阶段：
1
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
4.5V ~ 5.5V
同步整流器：
是
时钟同步：
无
控制特性：
限流，使能，导通时间控制，相位控制，电源良好
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
14-PowerWFQFN
供应商器件封装：
14-WQFN（3.5x3.5）
描述：
IC REG CTRLR BUCK 14WQFN

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