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SURA8130	文件：56.27 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountUltrafastPowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SURA8130	文件：182.23 Kbytes Page：6 Pages	PowerRectifier,Ultra-FastRecovery,1A,300-400V Ideallysuitedforhighvoltage,highfrequencyrectification,oras freewheelingandprotectiondiodesinsurfacemountapplications wherecompactsizeandweightarecriticaltothesystem. Features •SmallCompactSurfaceMountablePackagewithJ−BendLeads •RectangularPackageforAutom	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ULN8130A	文件：200.14 Kbytes Page：5 Pages	Precisionsupervisorysystemsmonitor	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
ULN-8130A	文件：2.11023 Mbytes Page：41 Pages	LINEARINTEGRATEDCIRCUITS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
ULN-8130LW	文件：1.20249 Mbytes Page：42 Pages	PACKAGEINFORMATION	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
UPC8130TA	文件：453.59 Kbytes Page：42 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUITS FEATURES •Recommendedoperatingfrequency:f=800MHzto1.5GHz •Lowdistortion:Padj£–60dBcMAX.@Pin=–15dBm,Df=±50kHz,VCC=3.0V, TA=+25°C •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Lowcurrentconsumption:ICC=11mATYP.@VCC=3.0V •Gaincontrolvoltage:VAGC=0t	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC8130TA	文件：550.61 Kbytes Page：52 Pages	VARIABLEGAINAMPLIFIERSILICONMMICFORTRANSMITTERAGCOFDIGITALCELLULARTELEPHONE DESCRIPTION TheµPC8119TandµPC8120Taresiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedasvariablegainamplifier.Dueto100MHzto1.9GHzoperation,theseICsaresuitableforRFtransmitterAGCstageofdigitalcellulartelephone.Twotypesofgaincontrolletuserschooseinaccordancewi	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UTC8130	文件：96.26 Kbytes Page：5 Pages	LINERINTERFRATEDCIRCUIT	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
VEMD8130	文件：380.08 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPINPhotodiode DESCRIPTION VEMD8130isahighspeedandhighsensitivePIN photodiode.Itisaminiaturesurface-mountdevice(SMD) includingthechipwitha2.2mm2sensitiveareaanda daylightblockingfiltermatchedwithIRemittersoperatingat wavelengthbetween870nmand950nm FEATURES •Packag	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VEMD8130	文件：379.55 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPINPhotodiode DESCRIPTION VEMD8130isahighspeedandhighsensitivePIN photodiode.Itisaminiaturesurface-mountdevice(SMD) includingthechipwitha2.2mm2sensitiveareaanda daylightblockingfiltermatchedwithIRemittersoperatingat wavelengthbetween870nmand950nm. FEATURES •Packa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

技术参数

Vs(typ)(V)：
12;5
Vin(min)(V)：
2.5
Vin(max)(V)：
21
Vout(min)(V)：
0.8
Output Adj. Method：
Resistor
Accuracy(+/- %)：
0.875
Freq(typ)(kHz)：
300
Iq(typ)(mA)：
2
Ext Sync：
No
Features：
Adjustable Current Limit;Cycle-by-Cycle Current Limit;Enable Input;Force PWM;OCP;OVP;Power Good;UVP;Voltage Mode Control
Package Type：
WDFN3x3-10

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