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RT2660H	文件：300 bytes Page：1 Pages	含参考输入的 6V/6A 同步降压转换器使用 VQFN-20L 3.5x4 热加强封装的 RT2660 具备 6V 输入、6A 输出能力的同步降压 DC/DC 转换器，设计用于 DDR 内存总线的终端调节器，它具有持续 6A 的电流吐纳能力和固定的 1/2 VDDQ 输出。它所采用的使用外部补偿电路的电流模式 COT 架构赋予其在全负载范围内的经过优化的瞬态响应能力，并在全输入、输出范围内具有几乎固定的开关切换工作频率。多个不同的过流限制阈值和开关切换工作频率设定集赋予不同应用优化的电源设计。\n\n通过使用集成化的 20mΩ/10mΩ MOSFET 开关，效率得到了最大化提升；逐周期电流限制保护可对抗输出短路；输出电压对外部输入的 • 持续 6A 输出电流吐纳能力，支持直通状态，满足 DDR 内存终端调节应用的需要\n• 输入电压范围：1V~6V\n• 电流模式固定导通时间( CMCOT )控制架构赋予其快速瞬态响应能力\n• 600kHz 和 1MHz 开关切换工作频率可选\n• 可选过流保护点\n• 外部跟踪启动应用\n• 欠压和过压保护;	Richtek 立锜科技	Richtek
RT2660HGQV	文件：332.2 Kbytes Page：18 Pages	Synchronous Step-Down Converter 文件：332.2 Kbytes 页数：18 Pages	RichTek 立锜科技	RichTek
RTD2660	文件：5.36223 Mbytes Page：401 Pages	Flat Panel Display Controller 文件：5.36223 Mbytes 页数：401 Pages	REALTEK 瑞昱	REALTEK
SM2660NSC	文件：166.95 Kbytes Page：11 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：166.95 Kbytes 页数：11 Pages	SINOPWER 大中集成电路	SINOPWER
SM2660NSC	文件：397.73 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • 100 Rg and UIS tested 文件：397.73 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

Vin(min)(V)：
1
Vin(max)(V)：
6
Number of Outputs：
1
Vout(min)(V)：
0.6
Vout(max)(V)：
2
Output Adj. Method：
Ext Vref;Resistor
Iout(max)(A)：
6
Current Limit(typ)(A)：
5.4;7.6
Freq(typ)(kHz)：
1000;600
Ext Sync：
No
Ron_HS(typ)(mOhm)：
20
Ron_LS(typ)(mOhm)：
10
Iq(typ)(mA)：
1.1
Features：
Adjustable Current Limit;Adjustable Frequency;COT Control;Cycle-by-Cycle Current Limit;Enable Input;Fast Transient Response;OCP;OTP;OVP;PSM;Power Good;Selectable (PSM or PWM);Stable with Ceramic Capacitor;UVP
Package Type：
VQFN3.5x4-20

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RT2660H供应商更新时间2025-10-12 11:10:00

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