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RT1P14BU	文件：114.21 Kbytes Page：3 Pages	Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type DESCRIPTION RT1P14BXisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,NPNtypeisRT1N14BX. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R2=10kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RT1P14BX	文件：114.21 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1P14BXisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,NPNtypeisRT1N14BX. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R2=10kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RT1P14HC	文件：64.739 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1P14HXisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,NPNtypeisRT1N14HX. FEATURE •Built-inbiasresistor(R1=10kΩ,R2=4.7kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RT1P14HM	文件：64.739 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1P14HXisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,NPNtypeisRT1N14HX. FEATURE •Built-inbiasresistor(R1=10kΩ,R2=4.7kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RT1P14HS	文件：64.739 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1P14HXisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,NPNtypeisRT1N14HX. FEATURE •Built-inbiasresistor(R1=10kΩ,R2=4.7kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RT1P14HU	文件：64.739 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1P14HXisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,NPNtypeisRT1N14HX. FEATURE •Built-inbiasresistor(R1=10kΩ,R2=4.7kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
RT1P14HX	文件：64.739 Kbytes Page：3 Pages	TransistorWithResistorForSwitchingApplicationSiliconNPNEpitaxialType DESCRIPTION RT1P14HXisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,NPNtypeisRT1N14HX. FEATURE •Built-inbiasresistor(R1=10kΩ,R2=4.7kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA

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