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RT1N250M	文件：211.74 Kbytes Page：3 Pages	Transistor With Resistor For Switching Application Silicon NPN Epitaxial Type DESCRIPTION RT1N250Xisaonechiptransistorwithbuilt-inbiasresistor,PNPtypeisRT1P250X. FEATURE ◾Built-inbiasresistor(R1=200kΩ). APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercircuit.	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA
1N250	文件：100.36 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPowerRectifiers SiliconPowerRectifiers 18AMP-DO5	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N250	文件：162.73 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPOWERRECTIFIER SiliconPowerRectifier ●GlassPassivatedDie ●800Asurgerating ●Glasstometalsealconstruction ●VRRMto1200V	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N250	文件：101.71 Kbytes Page：1 Pages	SIRECTIFIER,5AI(O)/I(F)10A SiliconPowerRectifiers 18AMP-DO5	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N250A	文件：162.73 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPOWERRECTIFIER SiliconPowerRectifier ●GlassPassivatedDie ●800Asurgerating ●Glasstometalsealconstruction ●VRRMto1200V	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N250A	文件：100.36 Kbytes Page：1 Pages	SiliconPowerRectifiers SiliconPowerRectifiers 18AMP-DO5	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N250B	文件：129.86 Kbytes Page：1 Pages	PEAKREPETITIVEREVERSEVOLTAGEDCBLOCKINGVOLTAGE PEAKREPETITIVEREVERSEVOLTAGEDCBLOCKINGVOLTAGE	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
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1N250B	文件：162.73 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPOWERRECTIFIER SiliconPowerRectifier ●GlassPassivatedDie ●800Asurgerating ●Glasstometalsealconstruction ●VRRMto1200V	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N250C	文件：129.86 Kbytes Page：1 Pages	PEAKREPETITIVEREVERSEVOLTAGEDCBLOCKINGVOLTAGE PEAKREPETITIVEREVERSEVOLTAGEDCBLOCKINGVOLTAGE	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI

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更多RT1N250M供应商更新时间2025-5-24 15:30:00

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