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UC1710J	文件：104.25 Kbytes Page：6 Pages	HighCurrentFETDriver	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
UC1710J	文件：101.08 Kbytes Page：7 Pages	HighCurrentFETDriver	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
UC1710SP	文件：101.08 Kbytes Page：7 Pages	HighCurrentFETDriver	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
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UC1710-SP	文件：253.83 Kbytes Page：9 Pages	HighCurrentFETDriver	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
UC1710-SP	文件：101.08 Kbytes Page：7 Pages	HighCurrentFETDriver	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
UDZSTE-1710B	文件：158.96 Kbytes Page：5 Pages	Constantvoltagecontrol	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
UPA1710	文件：226.39 Kbytes Page：10 Pages	MOSFieldEffectPowerTransistors SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFFT INDUSTRIALUSE DESCRIPTION ThisproductisP-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforDC/DCconverterandpowermanagement applicationsofnotebookcomputers. FEATURES •LowOn-Resistance RDS(on)1=70mWMax.(VGS=–10V,ID=–2.5A) RDS(on)2=	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1710A	文件：244.63 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·Lowon-resistance RDS(on)1=70mW(MAX.)(VGS=–10V,ID=–2.5A) RDS(on)2=160mW(MAX.)(VGS=–4V,ID=–2.0A) ·LowCiss:Ciss=840pF(TYP.) ·Built-inG-Sprotectiondiode ·Smallandsurfacemountpackage(Power	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA1710AG	文件：244.63 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·Lowon-resistance RDS(on)1=70mW(MAX.)(VGS=–10V,ID=–2.5A) RDS(on)2=160mW(MAX.)(VGS=–4V,ID=–2.0A) ·LowCiss:Ciss=840pF(TYP.) ·Built-inG-Sprotectiondiode ·Smallandsurfacemountpackage(Power	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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