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| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V278A,RDS(ON)typ=1.8mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-247package. RoHScompliant. | CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司 | CET-MOS | ||
TrenchPowerMOSFETVerylowRDS(on) | IXYS IXYS Corporation | IXYS |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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