SiC SBD

RSS20120W是瑞森采用先进的碳化硅SBD技术制造的SiC 肖特基二极管，该产品拥有较强的抗浪涌冲击能力，优良的温度特性和开关特性。能提升方案性能效率，缩少空间减轻重量和零件数量，及增强系统可靠性。 • IF(TC≤135℃)=24A \n• 175°C工作结温\n• 良好的开关特性;

REASUNOS

瑞森半导体

N-Channel Advanced Power MOSFET

文件：310.88 Kbytes 页数：8 Pages

RUICHIPS

锐骏半导体

SILICON POWER RECTIFIER

Silicon Power Rectifier ● Glass Passivated Die ● Low Forward Voltage ● 200A Surge Rating ● Glass to metal construction ● VRRM to 1200V

文件：148.74 Kbytes 页数：2 Pages

Microsemi

美高森美

Silicon Power Rectifier

Silicon Power Rectifier ● Glass Passivated Die ● Low Forward Voltage ● 200A Surge Rating ● Glass to metal construction ● VRRM to 1200V ● Excellent reliability

文件：112.14 Kbytes 页数：3 Pages

Microsemi

美高森美