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RSS065N06	文件：106.37 Kbytes Page：5 Pages	4V Drive Nch MOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RSS065N06FRA	文件：2.67455 Mbytes Page：14 Pages	Nch 60V 6.5A Middle Power MOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RSS065N06-TB	文件：992.35 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
IPB065N06LG	文件：420.34 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??Power-TransistorFeaturesForfastswitchingconvertersandsync.rectification	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IPP065N06LG	文件：420.34 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS??Power-TransistorFeaturesForfastswitchingconvertersandsync.rectification	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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RSH065N06	文件：179.79 Kbytes Page：5 Pages	4VDriveNchMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RSH065N06	文件：1.41127 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
RSH065N06TB	文件：992.4 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

详细参数

型号：
RSS065N06
功能描述：
MOSFET MOSFET; 30V 6.5A N CHANNEL
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多RSS065N06供应商更新时间2025-5-6 17:38:00

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