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RSQ025P03HZG	文件：300 bytes Page：1 Pages	Pch -30V -2.5A 车载小信号MOSFET RSQ025P03HZG是非常适用于开关应用的MOSFET。是符合AEC-Q101标准的车载级高可靠性产品。 • Low on - resistance\n• Built-in G-S protection diode\n• Small surface mount package(TSMT6)\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n• AEC-Q101 Qualified;	ROHM 罗姆	ROHM
RSQ025P03HZG	文件：2.52031 Mbytes Page：15 Pages	丝印：TP；Package：TSMT6；Pch -30V -2.5A Small Signal MOSFET 文件：2.52031 Mbytes 页数：15 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RSQ025P03TR	文件：450.19 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Available • TrenchFET® Power MOSFET APPLICATIONS • Load Switch 文件：450.19 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
RSR025P03	文件：66.5 Kbytes Page：3 Pages	4V Drive Pch MOS FET 1) Low On-resistance 2) Space saving−small surface mount package (TSMT3) 3) 4V drive 文件：66.5 Kbytes 页数：3 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RSR025P03	文件：484.25 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested APPLICATIONS • For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter 文件：484.25 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

技术参数

封装：
TSMT6
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-457T
JEITA Package：
SC-95
Number of terminal：
6
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-30
Drain Current ID[A]：
-2.5
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.145
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.12
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.08
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.145
Total gate charge Qg[nC]：
4.4
Power Dissipation (PD)[W]：
1.25
Drive Voltage[V]：
-4
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2.9x2.8 (t=1)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

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