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SG2016CAN	文件：506.74 Kbytes Page：2 Pages	CRYSTALOSCILLATOR(SPXO)OUTPUT:CMOS	EPSONEpson Company 爱普生精工爱普生株式会社	EPSON
SGM2016	文件：112.28 Kbytes Page：4 Pages	GaAsN-channelDual-GateMESFET Description TheSGM2016M/PisanN-channeldual-gateGaAsMESFETforUHF-bandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingUHFTVtuners,cellularradio,andDBSIFamplifiers. Features •Lowvoltageoperation •LownoiseNF=1.2dB(typ.)at900MHz	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
SGM2016	文件：61.48 Kbytes Page：5 Pages	GaAsN-channelDual-GateMESFET Description TheSGM2016AM/APisanN-channeldual-gateGaAsMESFETforUHF-bandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingUHFTVtuners,cellular/cordlessphone,andDBSIFamplifiers. Features •Lowvoltageoperation •LownoiseNF=1.2dB(typ.	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
SGM2016AM	文件：61.48 Kbytes Page：5 Pages	GaAsN-channelDual-GateMESFET Description TheSGM2016AM/APisanN-channeldual-gateGaAsMESFETforUHF-bandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingUHFTVtuners,cellular/cordlessphone,andDBSIFamplifiers. Features •Lowvoltageoperation •LownoiseNF=1.2dB(typ.	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
SGM2016AN	文件：56.22 Kbytes Page：5 Pages	GaAsN-channelDual-GateMESFET Description TheSGM2016ANisanN-channeldual-gateGaAsMESFETforUHF-bandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingUHFTVtuners,cellular/cordlessphone,andDBSIFamplifiers. Features •Ultra-smallpackage •Lowvoltageoperation •Lowno	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
SGM2016AP	文件：61.48 Kbytes Page：5 Pages	GaAsN-channelDual-GateMESFET Description TheSGM2016AM/APisanN-channeldual-gateGaAsMESFETforUHF-bandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingUHFTVtuners,cellular/cordlessphone,andDBSIFamplifiers. Features •Lowvoltageoperation •LownoiseNF=1.2dB(typ.	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
SGM2016M	文件：112.28 Kbytes Page：4 Pages	GaAsN-channelDual-GateMESFET Description TheSGM2016M/PisanN-channeldual-gateGaAsMESFETforUHF-bandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingUHFTVtuners,cellularradio,andDBSIFamplifiers. Features •Lowvoltageoperation •LownoiseNF=1.2dB(typ.)at900MHz	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
SGM2016P	文件：112.28 Kbytes Page：4 Pages	GaAsN-channelDual-GateMESFET Description TheSGM2016M/PisanN-channeldual-gateGaAsMESFETforUHF-bandlow-noiseamplification.ThisFETissuitableforawiderangeofapplicationsincludingUHFTVtuners,cellularradio,andDBSIFamplifiers. Features •Lowvoltageoperation •LownoiseNF=1.2dB(typ.)at900MHz	SonySony Semiconductor Solutions Group 索尼	Sony
SLG2016	文件：416.65 Kbytes Page：10 Pages	X/YStackable0.180?쇺?4-Digit5x7DotMatrixAlphanumericIntelligentDisplay짰DeviceswithMemory/Decoder/Driver DESCRIPTION TheSLR/SLO/SLG/SLY2016isafourdigit5x7dotmatrixdisplaymodulewithabuilt-inCMOSintegratedcircuit.ThisdisplayisX/Ystackable. Theintegratedcircuitcontainsmemory,a128ASCIIROMdecoder,multiplexingcircuitryanddrivers.Dataentryisasynchronous.Adisplays	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
SLG2016	文件：459.34 Kbytes Page：5 Pages	AlphanumericIntelligentDisplayDEVICESWITHMEMORY/DECODER/DRIVER DESCRIPTION TheSLR/SLO/SLG/SLY2016isafourdigit5x7dotmatrixdisplaymodulewithabuilt-inCMOSintegratedcircuit.ThisdisplayisX/Ystackable. Theintegratedcircuitcontainsmemory,a128ASCIIROMdecoder,multiplexingcircuitryanddrivers.Dataentryisasynchronous.Adisplays	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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产品属性

产品编号：
RSMN-2016D
制造商：
TDK-Lambda Americas Inc
类别：
滤波器 > 电力线滤波器模块
系列：
RSMN
包装：
盒
滤波器类型：
Single Phase
配置：
单级
电压 - 额定 DC：
250V
电压 - 额定 AC：
250V
应用：
通用
认证机构：
CSA，EN，UL
工作温度：
-25°C ~ 85°C
安装类型：
DIN 轨道
端接样式：
端接块
描述：
LINE FILTER 250VDC/VAC 16A DIN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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