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RSM92N650T7	文件：1.53312 Mbytes Page：7 Pages	丝印：TBD；Package：TO-247-3；N-Channel SiC Power MOSFET Features  High Blocking Voltage with Low OnResistance  High Speed Switching with Low Capacitance  Easy to Parallel and Simple to Drive Benefits  Higher System Efficiency  Reduced Cooling Requirements  Increased Power Density  Increased System Switching Frequency 文件：1.53312 Mbytes 页数：7 Pages	RECTRON 丽正国际	RECTRON
RSM92N650T7	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Rectron 丽正国际	Rectron
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RSS065N03TB	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOP-8	ROHM 罗姆上传：深圳市卓越微芯电子有限公司	ROHM

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更多RSM92N650T7供应商更新时间2026-2-6 10:59:00