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RSM170045W

1200V N-Channel SiC Power MOSFET

RSW170045W是瑞森采用先进的碳化硅MOS技术制造的N-沟道SiC MOSFET,该产品拥有较强的抗冲击能力,优良的温度特性和开关特性。能使应用效率得到提升,及节省空间、减轻重量及减少零件数量,并增强系统可靠性。可用于储能系统、电动汽车快速充电、电源管理、 和太阳能系统领域。 • VDS =1700V,ID =72A \n• 抗冲击能力强\n• 良好的开关特性\n;

REASUNOS

瑞森半导体

RSM232D

模块

ZLG

致远电子

上传:深圳市纳艾斯科技有限公司

RSM3485CHT

DIP-8

ZLG

致远电子

上传:深圳市振宏微科技有限公司

RSM3485CHT

DIP8

ZLG/GANMA

RSM485CHT

模块

技术参数

  • ID(A):

    72

  • VDSS(V):

    1700

  • RDS(on)Typ(mΩ):

    45

  • RDS(on)Max(mΩ):

    70

  • Application:

    工业电源、充电桩

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多RSM170045W供应商 更新时间2026-2-6 16:08:00