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RSM120040W

1200V N-Channel SiC Power MOSFET

RS120040W 是瑞森采用先进的碳化硅MOS技术制造的N-沟道SiC MOSFET,该产品拥有较强的抗冲击能力,优良的温度特性和开关特性。能使应用效率得到提升,及节省空间、减轻重量及减少零件数量,并增强系统可靠性。广泛应用于车载充电器/PFC、辅助逆变器和不间断电源(UPS)等各种工业和汽车领域。 • VDS =1200V,ID =60A \n• 抗冲击能力强\n• 良好的开关特性\n;

REASUNOS

瑞森半导体

RSM232D

模块

ZLG

致远电子

上传:深圳市纳艾斯科技有限公司

RSM3485CHT

DIP-8

ZLG

致远电子

上传:深圳市振宏微科技有限公司

RSM3485CHT

DIP8

ZLG/GANMA

RSM485CHT

模块

技术参数

  • ID(A):

    60

  • VDSS(V):

    1200

  • RDS(on)Typ(mΩ):

    40

  • RDS(on)Max(mΩ):

    55

  • Application:

    工业电源、充电桩

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更多RSM120040W供应商 更新时间2026-1-30 11:06:00