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RSH110N03	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Nch MOSFET •4V驱动型 Nch 中功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
RSH110N03	文件：174.11 Kbytes Page：4 Pages	4V Drive Nch MOSFET 文件：174.11 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RSS110N03	文件：60.44 Kbytes Page：4 Pages	Switching (30V, 11A, -11A) 文件：60.44 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SUM110N03	文件：41.3 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel 30-V (D-S) 175C MOSFET 文件：41.3 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SX110N03D	文件：1.30508 Mbytes Page：5 Pages	30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The SX110N03D uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other Switching application. Application Battery protection Load switch 文件：1.30508 Mbytes 页数：5 Pages	SXSEMI 瞬芯半导体	SXSEMI

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
SOP8
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Package Code：
SOP8
Package Size[mm]：
5.0x6.0 (t=1.75)
Number of terminal：
8
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
30
Drain Current ID[A]：
11.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.0112
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.0103
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.0076
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.0112
Total gate charge Qg[nC]：
17.0
Power Dissipation (PD)[W]：
2.0
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150

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