RSF38N30F中文资料内置FRD MOS数据手册REASUNOS规格书
RSF38N30F规格书详情
描述 Description
RSF38N30F是瑞森采用先进的掺铂金特殊工艺制造的N-沟道场效应晶体管，通过优化芯片结构，使该产品极大的降低了反向恢复导致的开关损耗。广泛应用于电机系列、逆变器、半桥/全桥应用等。
特性 Features
VDS =300V,ID =38A
RDS(ON) <0.11Ω @ VGS = 10V
漏电流小于1uA
优异的反向恢复特性Trr可低至100nS
100%的UIS测试
技术参数
- 制造商编号
：RSF38N30F
- 生产厂家
：REASUNOS
- ID(A)
：38
- VDSS(V)
：300
- RDS(on) Typ(Ω)
：0.09
- RDS(on) Max(Ω)
：0.11
- Diode Trr（nS）
：80
- Application
：电机系列/逆变器/半桥/全桥应用
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
YAGEO(国巨) |
24+ |
插件 |
7350 |
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RCD |
30 |
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RCD |
新 |
20 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
2022+ |
400000 |
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SXSEMI |
24+ |
DFN0603 |
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24+ |
N/A |
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REASUNOS |
22+ |
TO-220F |
130000 |
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RCD Components |
2022+ |
1463 |
全新原装 货期两周 |
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REASUNOS |
22+ |
TO-220F |
80000 |
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