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RSF015N06	文件：1.20202 Mbytes Page：7 Pages	丝印：PX；Package：TUMT3；4V Drive Nch MOSFET ■ MOSFETs ● Small Signal MOSFET Series ● Middle Power MOSFET Series ● Power MOSFET Series ■ Selector Guide for Automotive MOSFETs (AEC-Q101) ■ Bipolar Transistors (Surface mount type) ■ Transistor Array ■ Complex Bipolar Transistors ■ Digital Transistors ■ Complex Digital Transis 文件：1.20202 Mbytes 页数：7 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RSF015N06	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Nch MOSFET 电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「针对通信产品的超低阻值的设备」而产生的节能的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。 •4V驱动型 Nch 中功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM
RSF015N06FRA	文件：525.14 Kbytes Page：9 Pages	4V Drive Nch MOSFET 文件：525.14 Kbytes 页数：9 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RSF015N06FRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	Nch 60V 1.5A 功率MOSFET RSF015N06FRA是适合开关用途的车载型高可靠性MOSFET。 •4V驱动型 Nch 中功率MOSFET;	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

封装：
TUMT3
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-323T
JEITA Package：
SC-113A
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
60
Drain Current ID[A]：
1.5
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.255
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.24
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.21
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.255
Total gate charge Qg[nC]：
2
Power Dissipation (PD)[W]：
0.8
Drive Voltage[V]：
4
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2x2.1 (t=0.85)

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