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RSF010P05	文件：1.23777 Mbytes Page：7 Pages	丝印：SU；Package：TUMT3；4V Drive Pch MOSFET ■MOSFETs ●SmallSignalMOSFETSeries ●MiddlePowerMOSFETSeries ●PowerMOSFETSeries ■SelectorGuideforAutomotiveMOSFETs(AEC-Q101) ■BipolarTransistors(Surfacemounttype) ■TransistorArray ■ComplexBipolarTransistors ■DigitalTransistors ■ComplexDigitalTransis	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RSF010P05	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Pch MOSFET; •4V驱动型 Pch 中功率MOSFET; 电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

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RSF010P05

文件：1.23777 Mbytes

Page：7 Pages

丝印：SU；Package：TUMT3；4V Drive Pch MOSFET

■MOSFETs ●SmallSignalMOSFETSeries ●MiddlePowerMOSFETSeries ●PowerMOSFETSeries ■SelectorGuideforAutomotiveMOSFETs(AEC-Q101) ■BipolarTransistors(Surfacemounttype) ■TransistorArray ■ComplexBipolarTransistors ■DigitalTransistors ■ComplexDigitalTransis

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

RSF010P05

文件：300 bytes

Page：1 Pages

4V Drive Pch MOSFET; •4V驱动型 Pch 中功率MOSFET;

电界効果晶体管的MOSFET。提供通过采用细微流程的「超低阻值的设备」而在广泛领域得以应用的功率MOSFET，并且结合用途，以多样的小型高功率复合型的产品线对应多种市场需求。

ROHMRohm

罗姆罗姆半导体集团

ROHM

技术参数

封装：
TUMT3
包装数量：
3000
最小独立包装数量：
3000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Package Code：
SOT-323T
JEITA Package：
SC-113A
Number of terminal：
3
Polarity：
Pch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
-45
Drain Current ID[A]：
-1
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.49
RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.)：
0.45
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.33
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.49
Total gate charge Qg[nC]：
2.4
Power Dissipation (PD)[W]：
0.8
Drive Voltage[V]：
-4
Mounting Style：
Surface mount
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
150
Package Size [mm]：
2x2.1 (t=0.85)

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更多RSF010P05供应商更新时间2025-7-29 16:33:00

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