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RSD221N06FRA	文件：300 bytes Page：1 Pages	4V Drive Nch MOSFET (支持 AEC-Q101) 车载 MOSFET与通用品共用数据表。下订单时，请注意下列型号命名方式，编写为车载型号。 • Low on-resistance.\n• Fast switching speed.\n• Drive circuits can be simple.\n• Parallel use is easy.\n• Pb-free lead plating ; RoHS compliant\n• 100% Avalanche tested;	ROHM 罗姆	ROHM
RSD221N06FRA	文件：517.44 Kbytes Page：16 Pages	Nch 60V 22A Power MOSFET 文件：517.44 Kbytes 页数：16 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
RSD221N06	文件：275.41 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 22A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 26mΩ(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·DC-to-DC Converter ·General Industrial Applications ·Power Motor Control 文件：275.41 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
RSD221N06	文件：887.3 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：887.3 Kbytes 页数：4 Pages	DOINGTER 杜因特	DOINGTER
RSD221N06	文件：706.03 Kbytes Page：13 Pages	Nch 60V 22A Power MOSFET 文件：706.03 Kbytes 页数：13 Pages	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
CPT3
包装数量：
2500
最小独立包装数量：
2500
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Automotive
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)
Package Code：
TO-252 (DPAK)
JEITA Package：
SC-63
Package Size[mm]：
6.5x9.5 (t=2.3)
Number of terminal：
3
Polarity：
Nch
Drain-Source Voltage VDSS[V]：
60
Drain Current ID[A]：
22.0
RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.)：
0.023
RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.)：
0.018
RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.)：
0.023
Power Dissipation (PD)[W]：
20.0
Drive Voltage[V]：
4.0
Mounting Style：
Surface mount

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