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RSD200N05FRA

4V驱动型 Nch MOSFET (AEC-Q101标准)

RSD200N05FRA是车载级的高可靠性MOSFET。 •4V驱动型 Nch 功率MOSFET;

ROHM

罗姆

RSD200N05FRA

4V Drive Nch MOSFET

文件:498.62 Kbytes 页数:9 Pages

ROHM

罗姆

RSY200N05

4V Drive Nch MOSFET

文件:290.26 Kbytes 页数:1 Pages

ROHM

罗姆

RSY200N05TL

4V Drive Nch MOSFET

文件:290.26 Kbytes 页数:1 Pages

ROHM

罗姆

技术参数

  • Status:

    新设计非推荐

  • 封装:

    CPT3

  • 包装数量:

    2500

  • 最小独立包装数量:

    2500

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Grade:

    Automotive

  • Common Standard:

    AEC-Q101 (Automotive Grade)

  • Package Code:

    TO-252 (DPAK)

  • JEITA Package:

    SC-63

  • Package Size[mm]:

    6.5x9.5 (t=2.3)

  • Number of terminal:

    3

  • Polarity:

    Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    45

  • Drain Current ID[A]:

    20.0

  • RDS(on)[Ω] VGS=4V(Typ.):

    0.028

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.):

    0.025

  • RDS(on)[Ω] VGS=10V(Typ.):

    0.02

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    0.028

  • Total gate charge Qg[nC]:

    12.0

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    20.0

  • Drive Voltage[V]:

    4.0

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

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