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RS9N50D

500V N Channel MOSFET

RS9N50D是瑞森采用先进的平面MOS技术制造的N-沟道场效应晶体管,通过优化芯片结构,使该产品拥有较强的抗冲击能力,同时具有较低的导通内阻和的栅极电荷,能较大地降低产品EMI和开关损耗。广泛应用于开关电源,电源适配器、LED驱动等领域。 • VDS =500V,ID =9A \n• 抗冲击能力强\n• 100%的UIS测试;

REASUNOS

瑞森半导体

SW9N50D

N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-220/TO-252 MOSFET

文件:1.2586 Mbytes 页数:7 Pages

SEMIPOWER

芯派科技

TSF9N50C

8.8A,500V Insulated N-Channel Type Power MOSFET

文件:830.63 Kbytes 页数:6 Pages

THINKISEMI

思祁半导体

TSM9N50

500V N-Channel Power MOSFET

文件:219.94 Kbytes 页数:7 Pages

TSC

台湾半导体

技术参数

  • ID(A):

    9

  • VDSS(V):

    500

  • RDS(on) Typ(Ω):

    0.65

  • RDS(on) Max(Ω):

    0.8

  • Application:

    LED驱动/小家电/适配器/工业开关电源

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原厂原装
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更多RS9N50D供应商 更新时间2025-12-21 11:01:00